电力电子新器件及其应用技术

发表时间:2020/9/21   来源:《建筑实践》2020年第5月15期   作者:王艳艳
[导读] 工业控制、机车牵引等现代许多领域都离不开电力电子技术,作为其技术的直接呈现,电力电子器件的作用日益突出。
        王艳艳
        13262719830417****   河北石家庄050000
        摘要:工业控制、机车牵引等现代许多领域都离不开电力电子技术,作为其技术的直接呈现,电力电子器件的作用日益突出。文章首先从电压驱动型、电流驱动型两方面分别介绍了几种常见的电力电子器件,然后对其在实际中的应用和发展史进行了分析。
        关键词:电力电子器件;晶闸管;晶体管
        引言
        电力电子器件又叫功率半导体器件,是指用于电力设备的大功率电子器件,电压往往在数百伏以上,电流在数十到数千安不等,主要作用是负责电路控制和电能变换。随着电子时代的到来,电子电力器件的应用越来越多,覆盖了网络通信、工业控制、消费电子等诸多领域。由于各方面的需求在变化,电子电力器件也不断更新,保持着较快的发展速度,实际应用时也应跟紧时代,充分发挥新器件的优势。
        1电力电子器件的分类
        1.1电压驱动型
        (1)金氧半场效应晶体管(MOSFET)。MOS.FET的全称为金属一氧化物半导体场效应晶体管,它是FET的一种,具有输入阻抗大、开关速度快、安全工作区宽、热稳定性良好等优势,在诸多领域都有着广泛应用。MOSFET管可以被制成增强型或者耗尽型,按照载流子极性也可被制成P道沟或N道沟,所以常被成为NMOSFET、PMOSFET。实际中应用最多的就是增强型的NMOSFET、PMOSFET产品。两者的区别除了载流子极性不同,还有导通时的条件,NMOS加的Vds为正值,开启电压也为正值时,才能正常工作,电流则是流入漏极。PMOS相反,Vds和开启电压均要为负,才能正常工作,且其电流方向为流出漏极。
        (2)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。IGBT是一种复合型电力电子器件,集合了BJT和MOSFET的优势,BJT是两种载流子进行导电,其驱动电流大于单一载流子导电的MOSFET,MOSFET的优势在于高输入阻抗、控制端功率损耗较小。IGBT运用了MOSFET的栅极电压控制晶体管,又能够利用BJT的特性达到大电流,损耗较低,逐渐代替了传统的GTR。另外,IGBT还具有高速开关的特性。由于综合性能优越,IGBT在当前应用非常广,尤其是在600V以上的交流系统中,常见的领域有照明电路、变频器、牵引机等。
        IGBT本质是场效应晶体管,为方便理解,可将其视作一个开关,要么处于导通状态,要么处于断开状态,关键在于栅源极的电压。当栅源极电压不变,或者加负压时,表明开关断若加压大于6V时,开关导通。而且,IGBT不具备放大电压的功能,断开状态下相当于开路,导通状态下相当于导线。
        关于IGBT的新技术,主要有场截止FS.IGBT和阳极短接,前者是指引入一个N场截止层,以降低N.drift厚度,从而达到降低Vce,满足highpower的目的。阳极短接是指在N集电极间插入P集电极,以起到增强饱和电流、降低饱和压降的作用。IGBT在当前应用越来越多,随着要求的提高,今后将朝着高电压、高速度的方向发展,容量可达3.3kV/1.2kA,速度可达200kHz.
        (3)电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)。IEGT是在IGBT基础上发展起来的,可看做是IGBT的升级产品,通常是指耐压在4kV以上的IGBT系列电力电子器件。其创新之处在于采用了增强注入的结构,从而可实现低通态电压。就目前的IGBT器件来说,存在着容量小等问题,而IEGT则集合了GTO和IGBT的优势,通态压降较低,速度快、损耗小,驱动电流小且易于串联,另外安全工作区宽。一般的GTO产品开通时间需要6laS,关断时间需要30laS,而IEGT的开通和关断时间分别为11-tS、5uS.
        1.2电流驱动型
        (1)可关断晶闸管(GTO)。GTO又叫门控晶闸管,当门极加负向触发信号时,能够自行关闭。在其诞生之前,已有普通的晶闸管出现,但属于半控型产品,不具备自关断能力,GTO在其原来的基础上进一步创新,既保留了耐高压、电流大等优点,还标志着全控型电力电子器件产品出现。从当前市场产品来看,其容量可达3000A、4500A,明显高于GTR,使用寿命也更长,在变频调速、逆变电源等领域应用较多。但由于工作频率低于GTR,门极反向关断电流较高等原因,逐渐被后来兴起的ICBT、IGCT等产品所取代。


        (2)绝缘栅双极晶体管(IGBT)。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),中文称之为“绝缘栅双极晶体管”,是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件。它是电力电子技术的核心技术,且是电机控制和功率变换器的首选器件。广泛用于轨道交通、航空航天等战略性行业,具有高频率、高电压、大电流,易于开关等优良性能,被业界誉为功率变流装置的“CPU”。它是电力电子领域非常理想的开关器件,其频率特性介于MOSFET和功率晶体管之间,可正常工作在几十Hz的频率范围内,故在较高频率的大、中频率应用中占主要地位。IGBT作为电机控制和功率半导体器件首选器件,在轨道交通、航空航天、船舶驱动、新能源电动汽车、风力发电、太阳能发电、高压变频、工业传动及电力传输等多个重要行业和领域广泛运用。目前,在轨道交通高速动车组、大功率电力机车、城轨车辆几乎普遍采用IGBT:在节能环保领域,IGBT成为节能设备最核心的部件;在电力传输领域,IGBT在柔性输电等技术中发挥越来越大的作用。
        2电力电子器件的实际应用
        电力是现代社会不可或缺的一种资源,随着各方面应用要求的提高,相关技术为满足需求,也在不断更新。电力电子器件的应用领域很广,如牵引控制、变频调速系统等。近代工业革命后出现了蒸汽机车、内燃机车,电的发明,很快便出现了电力机车,最早是直一直传动形式。大功率硅整流技术开创了一种新传动形式,即交一直传动(交流发电机一硅整流一直流电动机)。20世纪50年代,电力电子技术诞生,60、70年代,开始出现大功率的晶闸管,如GTO,加上微机控制技术也有明显起色,交一直传动形式逐渐被另一种新形式交一直一交传动形式所取代。这一时期,电力电子器件在实际应用时有两大问题,控制功能落后、频率低损耗大,GTO的出现标志着电力电子器件从之前的半控型发展到全控型。
        80年代,GTO技术已有了质的提升,MOS器件和IGBT也相继出现,并迅速发展起来,从之前的电流控制型发展到电压控制型。但此时的产品,体积相对较大,为解决这一难题,需将各种电路尽量集成在一个芯片内,所以90年代开始出现智能化、模块化产品,如IPM,属于小型化产品。
        进入新世纪后,电力电子器件的发展和更新速度更快,在机车牵引领域的应用也越来越多,交流传动的优势得到了充分发挥,且技术愈发成熟。这一阶段,升级和发展主要集中在功率等级、工作频率、驱动的方便性几方面,也出现了一些新产品。以SiC材料的产品为例,该材料具有大电流、速度快、高耐压、低损耗、门极驱动简单、无吸收电路等优势,是今后研究的主要方向之一。
        此外,电力电子器件在其他领域也有着广泛应用。比如用于大功率电磁炉,电磁炉在当今社会非常普遍,商用电磁炉的功率一般比家用电磁炉大,为满足这一要求,电磁炉核心部件开始采用IGBT模块,其设计水平直接关乎整体质量。再有就是断路器永磁机构控制器,由CPU、电容器、电力电子驱动、液晶显示等模块构成。其中,电力电子驱动多采用IGBT,作用非常重要,通过接通分闸、合闸线圈回路,实现控制断路器永磁机构分合闸动作的目的。
        3结束语
        电力电子器件是电力电子技术的主导,在当前社会很多领域都发挥着重要作用,其研发水准和更新关乎我国电力电子技术的发展。在新环境下,应树立创新意识,根据现状分析未来趋势并积极探索,比如大容量、高频率,应作为今后考虑的重点。对于不断进步的IGBT、IGCT、IEGT等新型产品,应科学应用,使其优势得到最大发挥。
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